英特爾花41億美元投資設備廠ASML 催生新一代製造技術
美國半導體巨擘英特爾 (Intel)(INTC-US) 周一 (9 日) 宣布，將投資 41 億美元於荷蘭半導體製造微影設備大廠 ASML (艾司摩爾)(ASML-NL)，展現投入下一代晶片製造技術的企圖心。
ASML 是全球最大半導體微影設備供應商，這類設備專門處理晶圓製造當中的蝕刻工作。現有技術機器每台估計造價 6000 萬美元，但 ASML 及對手現在正努力投入新一代的極紫外光 (EUV) 技術，每台機器預估造價高達 1 億多美元。同一時間，英特爾等晶片製造商也紛紛投入更大尺寸的晶圓生產，由 12吋進入 18 吋領域，以拉低晶片製造成本。這使得 ASML 等製造設備供應商必須大增支出，來生產出相符的製造設備。
英特爾稱今日投資 ASML 行動，將令 EUV 技術及 18 吋晶圓製造設備推出時間加快 2 年之多。而《路透社》引述分析師指出，這樣的計畫雖然需要密集的資本投資，但在未來可節省數十億美元支出。英特爾將先支出 21 億美元，買進 10% 的 ASML 股份；等到後者股東同意發行更多股票，再加碼入股 5%。
台積電28nm制程助Cortex-A9雙核處理器沖上3GHz
台積電今日官方宣佈該公司新ARM Cortex-A9雙核心處理器測試晶片的頻率已經超過3GHz。據稱這款產品基於28nm HPM（High Performance Mobile，高性能移動計算）制程工藝，最高頻率可達3.1GHz，而目前人們印象中的雙核移動處理器頻率範圍通常在1.0-2.0GHz之間。當然A9依然是A9，這也僅僅是最大代工廠台積電的一個探索。畢竟更新架構的 Cortex-A15 產品已經蓄勢待發，雖然台積電表示3GHz頻率的雙核心 Cortex-A9 處理器性能對比現今的 40nm 制程A9產品可達兩倍之多，但架構仍然是舊的。
資訊網站 Fudzilla 分析，這僅僅是台積電的一種技術展示行為，由於各大廠商在今年下半年至明年上半年都計劃推廣採用 Cortex-A15 架構處理器的產品。用戶很難看到頻率超過2GHz的A9處理器出現在智慧手機/平板電腦當中。
ARM核心處理器搶進NB市場 x86首遇強敵？
ARM核心處理器預期將隨著微軟(Microsoft)決定在下一代 Windows 作業系統支援ARM平台設備而取得強勁成長動力；微軟是在今年1月終於宣佈以上決定，在理論上消除了讓更多ARM晶片進駐 PC 的障礙。IHS iSuppli認為，ARM平台系統將在2015年佔據整體筆記型電腦出貨量的22.9%比例、達到7,400萬台，該比例在2012年為3%、760萬台。
「自1981年IBM首度推出採用英特爾8088處理器的第一代PC，x86架構就主宰PC市場；」IHS iSuppli運算平台首席分析師Matthew Wilkins表示：「接下來，數十億台採用英特爾與眾家競爭對手(主要是AMD)所供應之x86處理器的PC陸續誕生。然而隨著Windows 8將開始支援已經在手機、平板裝置領域廣受歡迎的ARM處理器，x86稱王的時代已經走向終點。」
22nm之後－－下一代電晶體競賽開跑
電晶體設計會對所有下游的設計工作帶來深遠影響──從製程設計到實體設計都包括在內，其涵蓋領域甚至包含了邏輯設計師在功率和時序收斂方面的權衡。
問題在哪裡？
為何製程工程師們痛下決心革新電晶體設計？最簡單的回答是短通道效應。不斷追逐摩爾定律(Moore’s Law)的結果是MOSFET通道長度不斷縮減。這種收縮提高了電晶體密度，以及其他的固定因素和開關速度等。但問題是，縮短這些通道卻也帶來了諸多嚴重問題。針對這些問題，我們可以簡單地歸納為：當漏極愈接近源極，閘極便愈來愈難以夾止(pinch off)通道電流(圖1)。這將導致次閾值漏電流。
自90nm節點以來，這場對抗漏電流的戰役已經持續許久。向全high-k/金屬閘極(HKMG)的轉移，讓閘極能在不讓漏電流失控的情況下更好地控制通道電流。但到了22nm節點，許多人認為，平面MOSFET將輸掉這場戰役。目前還沒有辦法在足夠的性能條件下提供良好的漏電流控制。“HKMG解決了閘極漏電流，”一位專家表示。“現在，我們必須解決通道漏電流了。”
平面電晶體：又一次？
不過，仍有許多人持懷疑態度。“台積電表示會在20nm節點使用替換性金屬閘極(replacement-metal-gate)平面製程，”Novellus公司副總裁Girish Dixit觀察道，“但這個決定可能已經改變。HKMG可以控制漏電流，但平面電晶體仍然具有I-on/I-off特徵缺陷。”若台積電的早期採用者發現自己因為平面電晶體而處於競爭劣勢，他們可能會逼迫這家代工巨擘改採FinFET半節點。而這種對峙態勢也可能出現在行動市場，在這個領域，ARM的無晶圓矽晶夥伴們將面臨來自英特爾採用最新22nm三閘極Atom處理器的競爭。
Fin的崛起
英特爾三閘極元件是純粹而簡單的FinFET。業界專家們並不認為英特爾試圖營造出顯著的差異化。業界已經為新電晶體技術努力了10年之久，整個產業都致力解決短通道效應，除了英特爾，IMEC也在開發相同的技術。“這個產業中許多人都在開發FinFET技術，”一位製程專家表示。“不同的是，他們選擇了先行發佈。”
事實上，包含FinFET在內的所有下一代電晶體技術，都有一個共同的概念：全耗盡型通道。這個概念能在通道中賦予閘極更多在電場上的控制能力，讓閘極能完全耗盡通道載子。這當然也消除了通道中的主要傳導機制，並有效地讓電晶體關閉。
全球第一 台積20奈米下月試產 將以最高速布建產能 領先英特爾三星
晶圓代工龍頭台積電的20奈米製程預計下月試產，成為全球首家導入20奈米的半導體廠。若試產成功，將超越英特爾先前以22奈米製程生產自家處理器晶片，大幅拉開與南韓三星電子的差距，在全球晶圓代工業取得絕對優勢。
上周台股市值再度跌破20兆元，來到19.45兆元，周減幅3.56%，其中台積電在除息後呈現貼息，單周市值減少1,322億元，走勢疲軟。台積電19日舉行法說會，董事長張忠謀將釋出下半年營運展望，不但是台股焦點，更牽動電子股多空走勢。
正當外資因英特爾決定入股荷蘭設備商艾司摩爾（ASML ），擔心英特爾在先進製程取得制勝先機，大舉出脫台積電持股，台積電內部仍淡定的將晶圓代工製程技術，向20奈米製程推進。
設備商透露，台積電鑑於英特爾、三星加快跨足晶圓代工腳步，原計劃今年6月提前試產20奈米製程，但因20奈米製程是28奈米延伸，在28奈米良率未達預期進展，客戶又陷入瘋狂排隊搶產能，決定先提升28奈米製程良率，滿足客戶需求，將20奈米製程進度延後。
分析
- 由Apple Inc., 用自已的 A4/A5 給 iPhone 及 iPad、 Microsoft 支持 Window 8 RT ARM 的平板產品、Samsung 推自已的 ARM 給自已的平板產品就可聞到 CPU 大戰的味道又出現，Intel 面臨極大壓力，極可能大幅失去 Tablet 及低價 NB之市場；
- 3GHz Cortex-A15 ARM 已經可以滿足 Smart Phone、 Tablet 、 NB 之需求又比X86低功耗，X86 市場會消退很快嗎？如果 Intel 大幅失去 Tablet 及低價 NB之市場，Samsung 將是全球第一大半導體公司？ Intel 失去之 200億美元之半導體營收會落在誰手上？
- 無線寬頻移動之進化受制於半導體技術成長，因此，TSMC 製程技術成長很重要，政府必須降低軍公教支出，提供台灣半導體技術新成長之創業基金，否則，一旦台灣半導體金雞母輸給 Samsung 及 Globalfoundries 整體經濟與稅收將大幅下降，軍公教財政馬上面臨倒閉；
- 全世界20大半導體公司狀況看，Intel 如果短期間大輸給 ARM 、 Apple 、 Samsung 反而對台灣更不利， 整體經濟與稅收衰退將更嚴重，政府用大量稅金養軍公教，造成 83% 政府支出耗在軍公教經常性開支上，大幅讓台灣競爭力下降，危機就在台灣政府將全民稅金耗盡，產業卻未升級，兩黨執政縣市負債累累，金融大衰退，最後台灣可能只剩鳳梨酥、高雄愛河、台北花博紀念館；
- 台灣政府應該大幅 license ARM Cortex-A15, Cortex-M4 最更深之技術， 鼓勵廠商用政府 License IP 加速產業升級，以免 Intel 大輸後台灣產業完全給韓國吃掉。台灣電子業占 GDP 68.9% ，其實台灣政府如不能刺激產業升級而輸給韓國， 則稅收不足軍公教財政馬上倒閉；
- 全球半導體技術正大轉變、世界級公司策略大變化，台廠必須大力督促政府績效，同時加強研發，大幅砍掉好吃懶做公教人員，國家才有更多資金產業升級。很高興看見 TSMC 加速半導體技術，我甚致認為應該用兩班制研發團隊加速 TSMC 半導體技術。
- 一旦，TSMC 半導體技術大幅領先 Samsung 及 Globalfoundries ，必定營收大成長，連帶加速聯發科 IC 產品競爭力，必然逼 Samsung 以自已 IC 及整合之 Smart phone 來消化 Samsung 擴增之產能， Samsung 必須以 Touch screen LCD、Nand flash 及 自已 IC 去降低自已 Tablet 及 Smart Phone 競爭力， 台灣政府及企業團應該做什麼可以卡住 Samsung 獲利呢？
- 台灣政府及企業團應該思考當 Intel 勢微時， 企業怎麼抓住新機會？
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