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| SAN FRANCISCO, CA - SEPTEMBER 13: Intel CEO Paul Otellini (R) shakes hands with Google Senior VP of Mobile Andy Rubin during a keynote address at the 2011 Intel Developer Forum at Moscone Center on September 13, 2011 in San Francisco, California. Intel CEO Paul Otellini kicked off the 2011 Intel Developer Forum with an announcement that Intel will partner with Google to make future Android releases optimized for Intel chips in addition to the current chips that they use. The Intel Developer Forum runs through Thursday September 15. (Image credit: Getty Images via @daylife) |
英特爾（ Intel ）宣布3D、三閘（ Tri-Gate ）電晶體技術年底進入量產，會用於Ivy Bridge處理器上，也可協助開發出更高整合度的Intel Atom（凌動）處理器，提高效能。英特爾宣布，於2002年首次公開命名為Tri-Gate的3D立體電晶體設計，預計年底進入量產，會率先用於Ivy Bridge處理器。
英特爾表示，今年年底量產的Ivy Bridge系列22奈米微處理器，是第一批採用3D、三閘電晶體的量產晶片，可搭載於筆記型電腦、伺服器以及桌上型電腦。英特爾在發布的新聞稿上說明，3D、三閘重新打造了電晶體，將傳統的2D（平面）閘極換成3D矽晶薄片。
這些做成薄片狀的電晶體垂直接附在矽基板的表面，薄片 3個平面上各置有一個閘極，用來控制電流，兩側各有一個，第 3個置於頂端，而2D平面電晶體只有在頂端處有唯一的閘極。
英特爾表示，如此一來，3D三閘電晶體有更多的控制元件，讓電晶體在切換到「開啟」狀態時能流入更多的電流，而在「關閉」的低耗電狀態，電流盡可能接近於零，且能快速的在這兩種狀態間切換，以達到更好的效能。
英特爾表示，22奈米的3D三閘電晶體在低電壓模式時，效能較目前英特爾Sandy Bridge處理器使用的32奈米平面電晶體高出37%，更適用於各種迷你掌上型裝置；同時，在運作上能減少電晶體在開啟/關閉反覆切換所耗費的電力。
另外，3D三閘電晶體技術也將協助開發更高整合度的Intel Atom處理器，提高效能，滿足市場對於整體耗電、成本以及尺寸等方面的需求。
英特爾表示，這是電晶體演進的重大突破，是自從矽電晶體在50年前發明以來，首度採用3D立體結構的電晶體即將邁入量產。
英特爾指出，迄今為止，所有電腦、手機、消費電子產品，甚至連汽車、飛機、家用電器、醫療設備，以及成千上萬種日常裝置內的電子控制元件，從過去數十年來皆使用平面結構的電晶體；3D三閘電晶體的量產，將突破2D平面電晶體結構，帶來巨大的改變。
IBM 12日發布新聞稿宣布，該公司將與三星電子(Samsung Electronics Co.)共同開發最新半導體材料、製程等科技。根據協議，兩家公司將共同發展可用於智慧型手機、通訊基礎設備等廣泛應用的半導體製程。
根據新聞稿，三星研究人員將首次進入紐約州Albany奈米科技中心，與IBM科學家共同研究新材料與電晶體架構，並為次世代技術開發導線與封裝解決方案。
這項協議也更新了IBM、三星之間的20奈米以下製程研發協議，雙方計畫為晶圓代工客戶開發先進技術，支援20奈米以下高效能、低耗電的晶片生產。
晶圓代工龍頭台積電 ( TSMC ) 在美西時間13日在加州聖荷西市舉行技術研討會，董事長張忠謀親自主持並發表演說，他預估今年半導體產值將成長22％，2011年將再成長7％，為了持續擴張業務，台積電不僅將增加研發經費，也會招募優秀人才，張忠謀並指出，目前台積電研發人數是5年前的3倍，研發費用也是5年前的2倍。預計到今年底，台積電員工人數會增加到2.9萬人。
在技術研討會中，台積電還宣布將跳過22奈米製程，直接發展20奈米製程。由於20奈米製程將比22奈米製程擁有更優異的閘密度（gate density）以及晶片效能╱成本比，將為先進技術晶片的設計人員提供了一個可靠、更具競爭優勢的製程平台。因此基於「為客戶創造價值」的原因，台積電將為客戶提供一個更可行的先進製程選擇。再加上就技術層面來看，由於已經具備了創新微影技術以及必要的佈局設計能力，因此決定直接導入20奈米製程。
台積電研發資深副總蔣尚義表示，在先進製程技術的開發上，台積電必須主動積極考量其投資報酬率，並且需要跳脫單考慮技術層面的思維模式；「我們要透過與客戶密切合作以及在資源整合、最佳化方面的創新，同時解決來自技術及經濟層面的挑戰。」他進一步表示，20奈米製程預計於2012年下半年開始導入生產。
3D IC在半導體業界已經不算稀奇，不過3D架構的電晶體聽起來似乎威很多？Intel剛宣佈他們的一項新技術（PTT有版友說這技術很古老了），名為Tri-Gate（暫譯：三閘極）的全球首創3D三電晶體技術，並且宣稱這項技術可以讓Intel再度突破摩爾定律（還來阿...？），據稱Tri-Gate相較現在的32nm製程所採用的2D電晶體技術，可以降低至少50%的功耗，並且提昇37%在低電壓下的效能，還能讓晶片尺寸持續縮小，目前這項技術預計會提高2～3%的成本，不過未來隨著摩爾定律，價格一定只會更便宜。
這項3D電晶體技術預計會先造福新一代22nm製程的IVY Bridge平台的處理器，未來還會持續使用到如Atom以及伺服器處理器以及雲端處理器產品線。為了繼續實現摩爾定律，Intel已經規劃要在2013～2015年推出14nm以及10nm。簡單來說，半導體架構光是平面發展已經很難突破，只好蓋摩天大樓往上發展了？不過根據PTT那位版友的說法，Intel這項技術不是蓋大樓，比較像是國軍的折棉被豆乾XDD
結論：摩爾定律萬歲！製程萬歲！Cost Down萬歲！跳轉看3段相關影片（！？）
對於這項傳聞，分析師認為，要以ARM全面取代英特爾的可能性並不高。因為，蘋果過去曾堅持在筆電中採用PowerPC處理器，後來因為效能因素重回英特爾懷抱。而以低功耗、行動裝置為主的ARM處理器，短期間內並不適用於筆記型電腦。
科技新聞網站SemiAccurate報導指出，蘋果的筆電產品將捨棄英特爾，改採ARM處理器。同時根據消息來源指出，此移轉雖不會在短期內立即完成，但這已經是一個確定的計畫。
該則新聞一出，引起國外許多知名科技媒體的討論。而分析師普遍認為，可能性不高。
除了筆電，報導亦指出，蘋果甚至還有可能在其桌電產品中亦採用ARM晶片，使其包括iPad、iPhone等全系列產品都是以ARM架構為基礎。不過，考慮效能因素，蘋果最快會得等到2013年中，ARM處理器推出完整的64位元核心後，才會開始執行這項計畫。這個時程亦符合Nvidia日前宣佈的Project Denver晶片計畫。
報導指出，這就是為什麼蘋果近來積極向三星、Global Foundries、台積電尋求晶圓代工產能。不過，新聞中並未明指，蘋果將會自行開發ARM-based處理器，或採用其他業者的ARM核心方案。
對於這項傳聞，分析師認為，要以ARM全面取代英特爾的可能性並不高。因為，蘋果過去曾堅持在筆電中採用PowerPC處理器，一直到2006年，因為效能因素，才重回英特爾懷抱。而以低功耗、行動裝置為主的ARM處理器，短期間內並不適用於筆記型電腦。
此外，蘋果執行長Steve Jobs過去曾明確指出，蘋果對於小筆電產品沒有興趣，應該不會用ARM晶片來開發這類產品。MacBook亦是業界首批採用英特爾新款Sandy Bridge架構的筆電產品，很難想像蘋果會在未來的筆電產品中，採用效能較差的處理器。
另一方面，英特爾甫於上周發表全新的三閘式(tri-gate)電晶體技術，能夠顯著提升晶片的尺寸、功率、和速度效能，並預計於2012年初以22奈米製程投入量產。因此，在ARM與英特爾的對決競爭中，英特爾未來在行動領域未必一定是處於弱勢。
還有一個問題是，如果改採ARM架構，意味著現有的Mac OS X作業系統必須重寫，這可是一件大工程。或許，蘋果可能會開發同時支援OS X和iOS兩個作業系統的筆電。
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